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新葡京平臺(tái)微電子LED照明驅(qū)動(dòng)兩級(jí)無頻閃隔離降本增效方案推薦

2024.04.18

在LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。新葡京平臺(tái)微電子以先進(jìn)的高壓MOS工藝平臺(tái)為基。云渥吭降奈榷ㄐ院統(tǒng)墑熘圃旃ひ，成為L(zhǎng)ED照明驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)置MOS的首選。今天，為大家推薦的是小體積、高效率、低成本的兩級(jí)無頻閃隔離LED照明驅(qū)動(dòng)方案。

以下是新葡京平臺(tái)微電子LED驅(qū)動(dòng)照明帶來的40W(40V/1A)兩級(jí)新方案：SDH7523S+SD7863DL，此DEMO參數(shù)對(duì)比與原來方案對(duì)比一覽圖如下。

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經(jīng)過芯片和電源方案的進(jìn)一步優(yōu)化，結(jié)合新葡京平臺(tái)的硅材料MOS，最新方案將帶來如下更佳的提升和體驗(yàn)：

* 整機(jī)和變壓器體積下降10%-30%；

* 整機(jī)工作效率提升≥0.3%；

* 輸出超寬范圍，輸出恒流負(fù)載特性優(yōu)異≤2%；

* 經(jīng)濟(jì)效益提升，方案成本下降≥￥1(變壓器/PCB/整機(jī)外殼/輸出電解等)；

* 相比氮化鎵材料，硅材料多外延工藝MOS更成熟穩(wěn)定。

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后級(jí)反激PSR恒流控制器-SD786XDL系列內(nèi)置Si-MOS（硅材料MOSFET），在搭配前級(jí)APFC升壓電路，其MOS的導(dǎo)通損耗占比很。襂C也工作在BCM臨界導(dǎo)通模式，極大的降低MOS的開關(guān)損耗，針對(duì)此點(diǎn)，新葡京平臺(tái)重新優(yōu)化電源設(shè)計(jì)、提高整機(jī)的工作開關(guān)頻率，極大限度發(fā)揮傳統(tǒng)Si-MOS在LED驅(qū)動(dòng)電源的應(yīng)用水平。

傳統(tǒng)Si-MOS的成熟穩(wěn)定，可保證LED驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的更加可靠。新葡京平臺(tái)微電子將不斷結(jié)合自身的工藝平臺(tái)特點(diǎn)，發(fā)揮IDM模式的優(yōu)勢(shì)，為客戶帶來成熟穩(wěn)定且具有成本優(yōu)勢(shì)的解決方案。

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