SVG095R5NT N溝道增強型功率MOS場效應晶體管采用新葡京平臺的LVMOS 工藝技術制造。先進的工藝及元胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產品可廣泛應用于不間斷電源及逆變器系統的電源管理領域。
120A，90V，RDS(on)（典型值）=4.6mW@VGS=10V
低柵極電荷量
低反向傳輸電容
開關速度快
提升了dv/dt 能力
| 標題 | 類型 | 大小 (KB) | 日期 | 下載最新中文版本 |
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| SVG095R5NT | 359 | 2020-12-05 | SVG095R5NT 說明書_1.2 |
